芯片制作总结 第1篇
涂层过程涉及在晶圆上涂覆薄膜层，以提供保护、绝缘和导电功能。涂层过程是制造CPU的关键步骤之一，它确保电路的正常运行和保护。具体的涂层工艺参数和步骤会因不同的CPU制造工艺和
下面是通常用于CPU制造的涂层过程的主要步骤：
基础结构准备： 在制造CPU之前，首先进行晶圆制备和前期工艺步骤，包括晶圆生长、切割、研磨和清洗等。
绝缘层沉积： 在晶圆表面沉积绝缘层。常见的绝缘材料是二氧化硅（SiO2），它具有良好的绝缘性能。绝缘层的沉积通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等技术进行。
金属层沉积： 在绝缘层上沉积金属层，用于形成导电路径和电路连接。常见的金属材料是铜（Cu），因为它具有较低的电阻和良好的导电性能。金属层的沉积通常使用物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等技术。
光刻： 在金属层上应用光刻技术，使用光刻胶将电路图案转移到金属层上。光刻胶在光照和显影的作用下形成所需的图案。
蚀刻： 使用化学蚀刻或物理蚀刻等技术，去除金属层中不需要的部分，以形成所需的导电路径和连接。蚀刻过程根据金属层的材料和要求进行控制。
绝缘层再沉积： 在金属层上和周围的区域再次沉积绝缘层，以保护导电路径和电路结构。这个步骤有助于隔离金属层，防止短路和干扰。
清洗和后处理： 在涂层过程完成后，对晶圆进行清洗和后处理，去除残留的光刻胶、蚀刻剂和其他污染物，以保证CPU表面的洁净。
下面是 绝缘层填充 过程 , 用于填充绝缘材料到电路结构中，以隔离和绝缘导电层的步骤。
下面是 绝缘层填充 的主要步骤：
下图是绝缘层填充 ;
下面是 金属层填充 , 在制造中用于填充导电材料（通常是铜）到电路结构中，以实现电路连接和导电功能的步骤 ; 该步骤确保电路结构的连通性和性能。填充过程的参数和条件会根据具体的制造工艺和设计要求进行调整和控制。
金属填充的主要步骤：
填充后 , 凹凸不平 , 需要进行 化学机械抛光 ;
化学机械抛光 :
抛光平整 , 此时全是金属层 , 继续抛 , 将绝缘层 抛光出来 ;
芯片制作总结 第2篇
半导体材料是制造半导体集成电路的主要材料，目前集成电路中采用的半导体材料有元素半导体和化合物半导体材料两类。元素半导体主要包括锗（Ge）和硅（Si）。化合物半导体材料包括碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、铟镓砷（InGaAs）等。
半导体集成电路主要是采用半导体材料制造，之所以可以采用半导体材料制造出极其复杂的半导体集成电路，是因为半导体有一系列特点：导电特性，掺杂特性，温度特性、光电特性、压力特性等。
物质的导电能力的强弱用其导电率表示，导电率的倒数称为电阻率。根据电阻率的大小可以将自然界中的物质分为导体、半导体和绝缘体三类，其中半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间，如下图所示：
在半导体材料中加入微量的其他元素，称为掺进杂质（简称掺杂），可以在很大范围内改变半导体的导电能力。以半导体材料硅为例，在室温下纯硅的电阻率为230000Ω*cm，但是只要参入（千万分之一）的磷元素，此时含有杂质的硅材料的导电能力将提高200000000%（20万倍）！由此可见掺杂元素的含量虽然极小，但是对半导体的导电能力起了决定性作用。
半导体有一个重要特性，随温度的上升半导体中载流子浓度增加、电阻降低。利用半导体的这种效应可以制成半导体热敏电阻。随着半导体集成电路技术的不断发展，半导体集成式温度传感器越来越受到人们的关注。半导体集成式温度传感器有着更小的尺寸，容易进行系统集成等优势。这种集成温度传感器把包括温度感知器件、adc电路、和数字电路集成在一起，它们可以输出数字信号，能够方便的在微处理器中进行处理。半导体集成温度传感器主要采用bjt作为温度测量器件,下图是半导体温度传感器LM35的功能框图：
半导体材料在受到光照后导电能力可以提高几百倍，利用半导体的这种效应可以制成半导体光电传感器：光电二极管（Photo-Diode）。光电二极管是由一个PN结组成的半导体器件，具有单向导电特性。光电二极管是在反向电压作用之下工作的，在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光电传感器如下图：
半导体受到应力作用时，由于应力引起能带的变化使其电阻率发生变化，这种物理现象称为压阻效应。利用半导体的这种效应可以制成半导体压力传感器，这种压力传感器结构简单可靠，没有相对运动部件，传感器中的弹性元件和压力敏感元件合为一体，提高了传感器的性能。下图是半导体压力传感器LPS22HH的功能框图：
没有任何杂质和缺陷的纯净半导体材料称为本征半导体，这种半导体的导电特征取决于材料本身的固有特征。
集成电路中使用的半导体材料并不是本证半导体，而是使用杂质半导体。在本证半导体中掺入一定量的其他元素，这种掺入杂质的半导体称为杂质半导体，掺入的这些杂质称为杂质原子，掺入杂质原子的过程称为掺杂。在纯净的半导体材料中掺入杂质后，半导体的导电性将发生很大变化。
在半导体材料中掺入微量三价元素磷（P）、砷(Sb)、锑(As)等元素后,半导体材料中就会产生很多带负电的电子,使半导体中自由电子的浓度大大高于空穴浓度。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，故称它们为N型杂质，这种半导体称为N型半导体。对于N型半导体材料而言，总的正电荷等于负电荷数目，材料整体为电中性。
P型半导体在半导体材料中掺入微量三价元素硼（B）、铝（Ga）、铟（In）,使半导体中空穴的浓度大大高于自由电子浓度。这类杂质提供了带正电（Positive）的空穴载流子，故称它们为P型杂质，这种半导体称为P型半导体。对于P型半导体材料而言，总的正电荷等于负电荷数目，材料整体为电中性。
芯片制作总结 第3篇
电子工业是现在高新技术的核心，它在人类的科技发展中发挥了巨大作用，电子工业已经成为成为当今世界发展最快的高新技术产业，在全世界各国国民经济中起着举足轻重的作用。当今的电子技术离不开集成电路，集成电路是电子工业的基石，集成电路是20世纪最伟大的发明之一。
集成电路是一种微型电子器件或部件。它是采用一定的工艺把一个电路中所需的元件及布线互连一起，并制作在一小块基片上，然后封装在一个管壳内，其中所有元件在结构上已组成一个整体。集成电路包括半导体集成电路和混合集成电路。
半导体集成电路是利用半导体技术将电路中的电阻、电容、电感、晶体管等元件及布线，在同一块半导体材料制造完成，形成一个完整的、有独立功能的电路系统。
混合集成电路是将多个不同的半导体集成电路和分立电子元件通过微细加工技术，将它们固化到同一个基板（陶瓷材料或半导体材料）上，用互连的方式将它们集成为一个完整的、有独立功能的电路系统。
本文主要介绍半导体集成电路相关知识和技术。
集成电路按照功能可以分为：数字集成电路、模拟集成电路和混合信号集成电路。
数字集成电路是指只处理数字信号的一类电路，也称为逻辑电路。这类产品主要包括处微理器（MPU）、微控制器（MCU）、存储器（RAM、ROM）、接口电路等。数字集成电路通常是由基本的逻辑门电路单元构成。
模拟集成电路是xxx对模拟信号进行放大、转换、调制、运算等功能的一类电路。由于早期这类电路主要用于信号线性处理，所以又称为线性电路。模拟集成电路包括放大器、模拟乘法器、模拟开关和电源电路等。
混合信号集成电路是可以同时处理数字信号和模拟信号的电路。混合信号集成电路主要包括：A/D转换器（模数转换器）、D/A转换器（数模转换器）。
芯片制作总结 第4篇
光刻是一种半导体工艺，用于在半导体材料表面创建微小的结构和图案。光刻过程通常涉及以下几个步骤：
这些步骤通常需要在洁净的无尘环境下进行，以确保最终的芯片质量。光刻技术在半导体制造中起到关键作用，用于制造微处理器、存储器和其他集成电路组件。
下面是 光刻过程的图解 :
在晶圆上涂抹光刻胶 ,
光刻胶涂抹完毕 ,
在 晶圆 上涂抹完 光刻胶 后 , 使用光刻机 , 进行光刻 , 中间的透镜是 掩膜 , 其中有电路图案 , 光刻机将该掩膜中的图案 投射到 晶圆上 ,
光刻机 克完之后的 晶圆 中 , 有很多电路 , 该电路有很多层 ,
检查光刻效果 ,
紫外曝光： 使用紫外线光源，通过掩膜将光照射到光刻胶上。光线透过掩膜的透明部分，使得相应的区域的光刻胶发生化学反应。光刻胶对曝光进行反应 , 此时 晶体管层 不进行显示 ;
显影： 将光刻胶暴露在化学溶液中，溶解未被光照射的部分。这个步骤会使得光刻胶的图案转移到半导体材料上。
芯片制作总结 第5篇
那么要想造个芯片，首先，你得画出来一个长这样的玩意儿给Foundry (外包的晶圆制造公司)▼
再放大▼
我们终于看到一个门电路啦! 这是一个NAND Gate(与非门)，大概是这样▼
A, B 是输入, Y是输出
其中蓝色的是金属1层，绿色是金属2层，紫色是金属3层，粉色是金属4层。那晶体管(“晶体管”自199X年以后已经主要是 MOSFET, 即场效应管了 ) 呢？仔细看图，看到里面那些白色的点吗？那是衬底，还有一些绿色的边框？那些是Active Layer (也即掺杂层)。
Foundry是怎么做的呢? 大体上分为以下几步:
首先搞到一块圆圆的硅晶圆, (就是一大块晶体硅, 打磨的很光滑, 一般是圆的)
图片按照生产步骤排列. 但是步骤总结单独写出.
1、湿洗 (用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)
2、光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案. 注意, 此时还没有加入杂质, 依然是一个硅晶圆. )
3、 离子注入 (在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管.)
、干蚀刻 (之前用光刻出来的形状有许多其实不是我们需要的，而是为了离子注入而蚀刻的。现在就要用等离子体把他们洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出来的结构，这一步进行蚀刻).
、湿蚀刻 (进一步洗掉，但是用的是试剂， 所以叫湿蚀刻)—— 以上步骤完成后, 场效应管就已经被做出来啦，但是以上步骤一般都不止做一次, 很可能需要反反复复的做，以达到要求。
5、等离子冲洗 (用较弱的等离子束轰击整个芯片)
6、热处理，其中又分为：
快速热退火 (就是瞬间把整个片子通过大功率灯啥的照到1200摄氏度以上, 然后慢慢地冷却下来, 为了使得注入的离子能更好的被启动以及热氧化)
退火
热氧化 (制造出二氧化硅, 也即场效应管的栅极(gate) )
7、化学气相淀积(CVD)，进一步精细处理表面的各种物质
8、物理气相淀积 (PVD)，类似，而且可以给敏感部件加coating
9、分子束外延 (MBE) 如果需要长单晶的话就需要。
10、电镀处理
11、化学/机械表面处理
12、晶圆测试
13、晶圆打磨就可以出厂封装了。
再通过图示来一步步看▼
1、上面是氧化层, 下面是衬底(硅)——湿洗
2、一般来说, 先对整个衬底注入少量(10^10 ~ 10^13 / cm^3) 的P型物质(最外层少一个电子)，作为衬底——离子注入
3、先加入Photo-resist, 保护住不想被蚀刻的地方——光刻
4、上掩膜！(就是那个标注Cr的地方。中间空的表示没有遮盖，黑的表示遮住了。) —— 光刻
5、紫外线照上去，下面被照得那一块就被反应了——光刻
6、撤去掩膜——光刻
7、把暴露出来的氧化层洗掉, 露出硅层(就可以注入离子了)——光刻
8、把保护层撤去. 这样就得到了一个准备注入的硅片. 这一步会反复在硅片上进行(几十次甚至上百次)——光刻
9、然后光刻完毕后, 往里面狠狠地插入一块少量(10^14 ~ 10^16 /cm^3) 注入的N型物质就做成了一个N-well (N-井)——离子注入
10、用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来，也可以再次使用光刻刻出来——干蚀刻
11、上图将P-型半导体上部再次氧化出一层薄薄的二氧化硅—— 热处理
12、用分子束外延处理长出的一层多晶硅，该层可导电——分子束外延
13、进一步的蚀刻，做出精细的结构。(在退火以及部分CVD)—— 重复3-8光刻 + 湿蚀刻
14、再次狠狠地插入大量(10^18 ~ 10^20 / cm^3) 注入的P/N型物质，此时注意MOSFET已经基本成型——离子注入
15、用气相积淀 形成的氮化物层 —— 化学气相积淀
16、将氮化物蚀刻出沟道——光刻 + 湿蚀刻
17、物理气相积淀长出 金属层——物理气相积淀
18、将多余金属层蚀刻。光刻 + 湿蚀刻重复 17-18 次长出每个金属层。
附图的步骤在每幅图的下面标注，一共18步。
最终成型大概长这样:
其中，步骤1-15 属于 前端处理 (FEOL)，也即如何做出场效应管。步骤16-18 (加上许许多多的重复) 属于后端处理 (BEOL)，后端处理主要是用来布线。最开始那个大芯片里面能看到的基本都是布线！一般一个高度集中的芯片上几乎看不见底层的硅片，都会被布线遮挡住。
SOI (Silicon-on-Insulator) 技术：
传统CMOS技术的缺陷在于：衬底的厚度会影响片上的寄生电容，间接导致芯片的性能下降。SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开，以达到(部分)消除寄生电容的目的。
传统：
SOI:
制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构，之后的步骤跟传统工艺基本一致。)
1. xxx化退火:
在硅表面离子注入一层氧离子层
等氧离子渗入硅层, 形成富氧层
高温退火
或者是
2. Wafer Bonding(用两块! )不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块!
对硅2进行表面氧化
对硅2进行氢离子注入对硅2进行氢离子注入
将氢离子层处理成气泡层将氢离子层处理成气泡层
切割掉多余部分切割掉多余部分
成型 + 再利用
离子注入离子注入
微观图长这样:
再次光刻+蚀刻
撤去保护, 中间那个就是Fin撤去保护, 中间那个就是Fin
门部位的多晶硅/高K介质生长门部位的多晶硅/高K介质生长
门部位的氧化层生长门部位的氧化层生长
长成这样
源极 漏极制作(光刻+ 离子注入)
初层金属/多晶硅贴片
蚀刻+成型
物理气相积淀长出表面金属层(因为是三维结构, 所有连线要在上部连出)
机械打磨(对! 不打磨会导致金属层厚度不一致)
成型! 成型!
03
——
芯片封装
封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
芯片为什么要封装？
一方面因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。封装时主要考虑的因素：
1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；
2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；
3、 基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：
结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；
材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；
装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装
具体的封装形式
1、 SOP/SOIC封装
SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
2、 DIP封装
DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
3、 PLCC封装
PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier 的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
4、 TQFP封装
芯片制作总结 第6篇
晶圆制作是半导体芯片制造的关键过程，它涉及将硅晶片（或其他半导体材料）转化为可以用于集成电路制造的基础材料。下面是晶圆制作的主要步骤：
一堆沙子 ,
放入提炼设备进行提炼 ,
将沙子中的二氧化硅脱氧 , 得到纯净硅 , 然后提炼成硅锭 ,
将硅锭切开 , 得到晶圆 ,
将 晶圆 进行 碾磨 , 磨成薄片 , 并抛光 ,
芯片制作总结 第7篇
为什么会发明集成电路？它能给我们带来什么？我们通过半导体集成电路的发展历史，来解开半导体集成电路这个发明创造背后的驱动力。
1946年，ENIAC（Electronic Numerical Integrator And Computer即电子数字积分计算机）在美国宣告诞生，ENIAC是继ABC（阿塔纳索夫-贝瑞计算机）之后的第二台电子计算机，美国_用它来计算弹道，ENIAC每秒钟可以运算5000次。ENIAC是一个庞然大物！ENIAC总长约30米，高约4米，厚约米，占地约167平米、重达30吨！ENIAC内部电路使用了约18000只电子管、7200只电阻、10000只电容、50万条线，功率约150千瓦 。
电子计算机提供了无所伦比的计算能力，但是这种计算机有几个突出问题：体积大、功耗大。如果能把计算机内部的电子元件和连线集成在一小块载体上，这就解决了体积和功耗问题！半导体集成电路诞生和发展的内在驱动力就在于此！
1947年12月23日美国xxx实验室的xxxxxx（William Shockley）和xxx巴丁（John Bardeen）发明了点触式三极管，这是世界上第一只晶体三极管，它标志着电子技术从电子管时代进入晶体管时代迈出了第一步！而在此之前计算机电路只能使用体积大、功耗大、结构不稳定的电子管。晶体管具有电子管的主要功能，同时解决了体积大、功耗大、结构不稳定等问题。在晶体管发明后，1948年xxx在xxx实验室内部刊物发布了《半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的理论》，1950年11月xxx发表《半导体中的电子和空穴》，奠定了PN结和面接型晶体管的基本理论。
1954年，德州仪器以25000美元从西部电子公司那里购买了生产电子晶体管的专利，并在同年研制出了第一个商用的硅晶体管905 型，德州仪器成为当时唯一一个批量生产硅管的公司。
1958年，德州仪器的xxx比突发奇想：很多器件组成的极小的微型电路是可以在一块晶片上制作出来的。1958年9月12日，xxx比把这个想法变成了现实，研制出世界上第一块集成电路（这块电路实际上是仅包含12个元件的集成电路），并凭借这项发明，2000年xxx比获得了诺xxx物理学奖。
1959年，当时在仙童公司工作的xxx诺伊斯（后来仙童半导体公司，英特尔创始人），创造了掩膜版曝光刻蚀方法用来生产集成电路。
1964年，IBM公司成年仅四十岁的吉恩·阿姆达尔担任主设计师，历时四年研发的IBM360计算机问世，IBM360是用集成电路构建了世界上第一台集成电路的计算机，也称为第三代计算机。这个计算机有大、中、小共6个型号，涵盖了科学计算和事务处理两方面的应用，能够360度全方位使用，因此它起名为IBM360。这台计算机与之前的计算机相比最大的特征，就是从军用为主转向了民用为主，它代表着计算机从工商界到科学界的全方位应用。
1970年，Intel公司的科学家xxx霍夫（Ted Hoff）主持设计了世界上第一款微处理器——英特尔4004。Intel 4004片内集成了2250个晶体管，晶体管之间的距离是10微米，能够处理4bit的数据，每秒运算6万次，支持8位指令集及12位地址集。
1978年6月，Intel推出了8086微处理器，8086是x86架构微处理器的鼻祖，后续推出的各种微处理器均保持与之兼容。8086工作主频为，采用16位寄存器、16位数据总线。8086微处理器使用+5V电源，40条引脚双列直插式封装，有16根数据线和20根地址线，对内存空间实行分段管理，实现对1MB空间的寻址，采用并行流水线工作方式。8086是一款划时代的微处理器。
1993 年，Intel公司发布了Pentium系列微处理器80586，Pentium系列微处理器与以前的Intel公司处理器完全兼容。值得一提的是奔腾处理器中有两条数据流水线，可以同时执行两条指令，Intel公司把这种同时执行两条指令的能力称为超标量技术。第1代奔腾处理器主频有60MHz和66MHz。
2018年8月31日，华为在德国柏林IFA展会上发布麒麟980芯片。麒麟980芯片是华为海思推出的基于ARM的64位系统芯片，它是世界上第一枚采用台积电7nm工艺制造的商用手机SoC芯片组（4A76+4A55的八核心芯片），最高主频高达。麒麟980集成了八个CPU核心、十个GPU核心，并有双ISP、i8传感器处理器、安全引擎，还支持UFS 音频、4K视频。
纵观半导体集成电路的发展可以总结出两个发展趋势：
芯片制作总结 第8篇
刻蚀 有两种方式 , 化学腐蚀反应 / 用等离子体轰击晶圆表面 ; 光刻胶覆盖的位置保留 , 没有光刻胶的部位被刻蚀 ; 刻蚀后形成的凹陷就是 掩膜 中的电路图形 ;
蚀刻是半导体工艺中的一项重要步骤，用于在晶圆表面选择性地去除材料，以形成所需的结构和图案。蚀刻过程涉及以下主要步骤：
下图是蚀刻过程 , 期间需要 掺杂 或 剥离 抗蚀剂 ;
抗蚀剂是在 蚀刻 过程中用于 保护特定区域 不被蚀刻的化学物质 , 抗蚀剂主要有以下作用 :
蚀刻前 或 蚀刻过程中 , 要掺杂抗蚀剂 , 它们能够与蚀刻剂或蚀刻气体发生化学反应，形成保护性的物质层，以防止蚀刻剂对特定区域的侵蚀。这种掺杂抗蚀剂的选择和使用需要根据具体的材料和蚀刻过程来确定。
蚀刻后 , 要剥离抗蚀剂 , 通过浸泡、喷洒或激光剥离等方式应用于晶圆表面。剥离抗蚀剂会与保护层发生化学反应，将其溶解或剥离，从而实现保护层的去除。